인텔, 가장 먼저 차세대 노광장비 설치… 삼성·TSMC 추월 시도
미국 인텔이 반도체 기업 가운데 처음으로 2나노(1나노는 10억분의 1)미터 이하 공정에 투입되는 네덜란드 ASML의 차세대 노광장비(EUV)를 설치했다. 이를 통해 최첨단 공정 분야에서 삼성전자와 대만 TSMC 등 경쟁사를 따라잡겠다는 전략이다.
인텔은 18일(현지 시각) 미국 오리건주 R&D(연구개발) 구역에 ASML의 차세대 노광장비인 ‘하이 NA EUV’를 설치했다고 밝혔다. 2층 버스 크기의 이 장비는 빛을 모으는 능력(NA)을 높여 기존 EUV보다 반도체 집적도를 2.9배 높일 수 있다. 반도체 회로를 더 정밀하게 새길 수 있어, 인텔로서는 고성능의 최첨단 반도체를 제조할 수 있는 여건을 갖추게 된 것이다. 반도체 설계와 CPU 전문회사인 인텔은 2018년 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에서 철수했으나, 2021년 재진출을 선언한 뒤 대규모 투자에 나서고 있다.