인공지능(AI) 반도체의 핵심인 ‘차세대 HBM(고대역폭 메모리)’을 공동 개발하기로 한 SK하이닉스와 세계 1위 파운드리(반도체 위탁 생산 업체) TSMC의 밑그림이 나왔다. TSMC는 지난 14일 네덜란드 암스테르담에서 열린 ‘TSMC 유럽 기술 심포지엄’ 행사에서 “HBM4(6세대 모델)의 ‘베이스 다이’에 12나노급 공정과 5나노급 공정 기술을 적용할 것”이라고 밝혔다. HBM은 ‘베이스 다이’라고 불리는 틀에 D램 반도체를 겹겹이 쌓아 올리는 형태다. 현재는 D램과 베이스 다이를 SK하이닉스가 모두 생산하고, TSMC가 이를 받아 다른 부품과 함께 패키징(조립)한 후 엔비디아에 납품해 왔다. 하지만 베이스 다이를 TSMC가 최첨단 공정으로 생산하기로 하면서, HBM 시장에서 TSMC의 기술적 영향력이 크게 확대될 수밖에 없다. 글로벌 AI 반도체 시장은 엔비디아(반도체 설계)-SK하이닉스(HBM 생산)-TSMC(패키징)의 ‘3자 연합’이 각자 역할 분담을 하며 주도해 왔다. 하지만 TSMC가 차세대 HBM부터는 생산에서도 핵심 역할을 하게 되면서 TSMC에 대한 기술적 의존이 커지게 됐다. 반면 삼성전자는 베이스 다이까지 직접 생산하면서 이에 맞설 계획이다.